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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Confronto
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
43
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
36
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2216
2465
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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