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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3121
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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