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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2928
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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