RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
50
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2424
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link