RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3236
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link