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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2456
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
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