RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2823
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link