RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
48
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
48
Velocità di lettura, GB/s
13.2
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3061
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link