RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2179
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905316-056.A01LF 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link