RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2881
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link