RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3141
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link