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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
71
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
71
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1902
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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