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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
43
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2128
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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