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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
55
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
55
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2699
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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