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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Team Group Inc. 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2873
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Team Group Inc. 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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