RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3729
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link