RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3061
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link