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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3061
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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