Confronto tra le RAM Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

33 37

Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17 14.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.6 9.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2409 3422

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns