RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Confronto
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
14.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2409
2912
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link