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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Confronto
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
14.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2409
2560
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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