Confronto tra le RAM Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 37

Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.8 9.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2409 2890

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns