RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
58
Intorno 52% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
58
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2591
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link