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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2647
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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