RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link