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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3633
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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