RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2938
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link