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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3179
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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