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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3180
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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