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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3733
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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