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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
4065
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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