RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3222
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link