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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3282
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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