RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2901
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link