RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2915
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link