RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2865
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link