RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2975
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link