RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno 48% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
54
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2264
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link