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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3188
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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