RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3332
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link