RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3049
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link