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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2882
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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