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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3717
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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