RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
4174
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link