RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3575
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link