RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3507
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link