RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3653
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link