RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2356
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link