RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3866
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link