RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2690
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link